时间：2025/6/26 12:21:24
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STF11N65M5 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款 N 沱 道沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 ST 的 MDmesh M5 技术制造，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及逆变器等应用。
STF11N65M5 的主要设计目标是提供高效的功率转换解决方案，并在高频开关条件下保持较低的损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：11A
导通电阻（典型值）：350mΩ
栅极电荷（典型值）：42nC
总电容（Ciss）：2870pF
输入电容（Crss）：490pF
输出电容（Coss）：125pF
工作结温范围：-55°C to +150°C
封装形式：TO-220AC
STF11N65M5 具有以下关键特性：
1. 采用 MDmesh M5 技术，优化了导通电阻和栅极电荷之间的权衡。
2. 击穿电压高达 650V，确保在高压应用中的可靠性。
3. 导通电阻低至 350mΩ（典型值），可降低导通损耗。
4. 栅极电荷仅为 42nC（典型值），有助于减少开关损耗。
5. 提供快速开关性能，适合高频应用。
6. 封装为 TO-220AC，易于安装并具备良好的散热性能。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
这些特性使得 STF11N65M5 成为许多高效率功率转换应用的理想选择。
STF11N65M5 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 太阳能逆变器
6. 电动工具及家用电器
由于其高击穿电压和低导通电阻特性，STF11N65M5 特别适合需要高效功率转换和高可靠性的场合。
STF12N65M5
IRFB7420TRPBF
FDP5570
IXFN12N65B
