时间：2025/8/18 7:15:01
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CXG1091TN-T2 是一款由 CXEMC（常州银河世纪微电子）制造的射频功率晶体管，广泛用于射频功率放大器、无线通信设备、工业控制系统等领域。该器件采用了先进的 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高增益、高效率和良好的热稳定性。
类型：射频功率MOSFET
晶体管类型：N沟道LDMOS
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：65V
最大栅源电压（VGS）：±20V
频率范围：800MHz - 1000MHz
输出功率：典型值为50W
增益：20dB以上
封装类型：TO-270
CXG1091TN-T2 采用了先进的 LDMOS 工艺，具有优异的高频性能和高功率处理能力。其主要特点包括高线性度、高效率、低失真以及出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。此外，该晶体管还具备良好的抗过载能力和较强的抗静电能力，适用于各种射频功率放大应用。
在设计上，CXG1091TN-T2 优化了输入输出阻抗匹配，使得它在常见的射频电路中更容易集成，减少了外围元件的数量和电路复杂度。其 TO-270 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和维护。
该器件特别适用于移动通信基站、无线局域网（WLAN）、广播发射设备、工业加热系统和医疗射频设备等高功率射频应用场景。
CXG1091TN-T2 主要用于各类射频功率放大器中，如蜂窝通信基站、WLAN 接入点、无线传感器网络、广播发射设备、工业加热设备以及医疗射频治疗设备等。其高效率和高稳定性的特点使其成为工业级和通信级设备的理想选择。
CXG1091TN-T3、CXG1091TN-T1、NXP MRF15010H、STMicroelectronics STAC10MH1
