类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　连续漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.32Ω（最大值0.4Ω）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：典型值4.5V（范围2.5V至5V）
　　功率耗散（Ptot）：典型值170W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

IXFX16N90具备多项高性能特性，包括高电压耐受能力和大电流承载能力，使其适用于高功率密度设计。该MOSFET的低导通电阻有助于减少导通损耗，从而提高系统效率。此外，其优良的热稳定性与高功率耗散能力结合，使器件能够在高负载条件下稳定运行。
　　该器件采用TO-247封装，提供良好的热管理和电气连接，适用于需要高可靠性的工业和电力电子应用。IXFX16N90还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提高整体系统性能。
　　其栅极驱动特性优化，适用于多种驱动电路设计，包括直接微控制器驱动和专用MOSFET驱动IC。此外，IXYS的制造工艺确保了优异的耐用性和抗过载能力，使其在严苛环境下也能稳定运行。

IXFX16N90广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）和逆变器设计。其高电压和大电流能力使其适用于太阳能逆变器、电机驱动和工业自动化设备中的功率控制模块。
　　此外，该MOSFET也常用于DC-DC转换器、电池管理系统和高功率LED驱动器。由于其快速开关性能和低导通损耗，IXFX16N90在需要高效率和紧凑设计的电源系统中表现出色。
　　在工业控制和自动化系统中，IXFX16N90被用于电机控制、电磁阀驱动和继电器替代电路。其稳定性和高耐久性使其成为高可靠性要求应用中的理想选择。

IXFX16N90的替代型号包括IXFX20N80和IXFX12N90。这些型号具有类似的电气特性和封装形式，适用于相同的功率转换应用。此外，也可考虑STMicroelectronics的STF16N90M5或Infineon的SPA10N90C3器件作为替代选项。