时间：2025/5/7 10:31:44
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CRSS052N08N 是一款基于超结技术的 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于高效率、高频率开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
其封装形式通常为 DPAK (TO-252)，能够满足多种功率转换和电机驱动需求。由于采用了先进的超结工艺，CRSS052N08N 在导通损耗和开关损耗之间实现了良好的平衡。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：5.1A
导通电阻：28mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：13nC（典型值）
输入电容：1460pF（典型值）
反向恢复时间：9ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
CRSS052N08N 具备以下显著特性：
1. 超低导通电阻，确保高效能量传输。
2. 快速开关性能，减少开关损耗。
3. 超结结构设计，优化了 Rds(on) 和 Qg 的性能。
4. 高雪崩能力，增强系统可靠性。
5. 小型化封装，适合紧凑型设计需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保友好。
这些特性使 CRSS052N08N 成为 DC-DC 转换器、开关电源、电池充电器及电机驱动等应用的理想选择。
CRSS052N08N 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 工业电机控制与驱动。
4. 便携式设备中的电池管理。
5. 电信设备的二次侧电源。
6. LED 照明驱动电路。
7. 其他需要高效功率切换的应用场景。
这款 MOSFET 的高效率和可靠性使其成为众多功率电子产品的核心组件。
CRSS052N10N
IRLR7843
FDP058AN
