电容值：10μF
　　容差：±20%
　　额定电压：10V
　　温度特性：X5R（-55°C至+85°C，电容变化不超过±15%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　介质材料：陶瓷（Class II, X5R）
　　直流偏压特性：典型情况下，在10V偏压下电容值下降约30%-50%
　　等效串联电阻（ESR）：低，通常在毫欧级别，具体取决于频率
　　等效串联电感（ESL）：极低，适合高频应用
　　老化率：约2.5%每十年（X5R材质典型值）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层，锡镀层（Ni-Sn），兼容无铅焊接
　　符合标准：IEC 60384-8/21，RoHS compliant

B41560A7100M000作为一款X5R介质的多层陶瓷电容器，具备优良的温度稳定性和较高的体积效率，能够在-55°C至+85°C的宽温度范围内保持电容值的相对稳定，其电容随温度的变化不超过±15%，适用于大多数常规工业和消费类应用场景。该电容器采用Class II陶瓷材料，具有较高的介电常数，因此可以在较小的封装尺寸下实现较大的电容容量，例如在0805这种紧凑尺寸中实现10μF的电容值，极大提升了PCB布局的灵活性。
　　该器件的一个显著特点是其对直流偏压的响应特性。由于X5R材料的铁电性质，当施加接近额定电压的直流偏压时，实际可用电容会有所下降，通常在10V偏压下可保留原始电容值的50%-70%左右，因此在设计电源去耦网络时需考虑这一非线性效应，建议结合仿真或实测数据进行选型优化。尽管存在偏压效应，但其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）使其在高频去耦应用中表现出色，能有效抑制噪声和电压波动，提升系统稳定性。
　　B41560A7100M000还具备良好的机械强度和抗热冲击能力，能够承受多次回流焊过程而不损坏。其端电极为镍阻挡层加锡镀层结构，提供了优良的可焊性和长期可靠性，防止银迁移等问题。此外，该器件具有较低的老化率，X5R材质的典型老化速率为每十年约2.5%，远低于其他高介电常数材料如Y5V。整体而言，这款电容器在性能、尺寸、成本和可靠性之间实现了良好平衡，是中高压、中大容量应用中的理想选择。

B41560A7100M000广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子电路中，尤其适用于电源管理模块中的输入输出滤波与去耦。在DC-DC转换器、LDO稳压器等电源电路中，该电容器常被用作输入旁路电容或输出滤波电容，利用其低ESR特性有效平滑电压纹波并抑制瞬态电流引起的电压波动，从而提高电源系统的动态响应能力和稳定性。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的供电引脚附近，该器件也常用于高频噪声的旁路处理，保障芯片正常运行。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，B41560A7100M000因其小尺寸和高容量特性，被广泛用于主板上的电源轨解耦，帮助节省宝贵的PCB空间同时满足多核处理器的瞬时功耗需求。在通信设备中，包括路由器、交换机和基站模块，该电容器可用于信号链路的耦合与去耦，提升信号完整性。此外，在汽车电子领域，虽然该型号并非AEC-Q200认证器件，但在非关键车载应用中仍可用于信息娱乐系统或辅助电源模块中。
　　工业控制系统、医疗设备、物联网终端等对可靠性有一定要求的应用场景中，B41560A7100M000也能发挥其稳定的电气性能优势。由于其符合RoHS标准且支持无铅焊接工艺，适用于现代环保型电子产品的大规模自动化生产。总体来看，该器件适用于对体积、成本和性能有综合考量的中端市场应用，是工程师在常规设计中常用的通用型MLCC之一。

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　　 "C3216X5R1A106K"
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　　 "https://product.tdk.com/en/search/capacitor/ceramic/mlcc/info?part_no=B41560A7100M000"
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