CBR08C508C1GAC 是一款陶瓷电容器,属于 CBR 系列。该系列电容器采用多层陶瓷技术制造,具有高可靠性和稳定性。CBR08C508C1GAC 适用于各种高频和低频电路中的旁路、耦合以及滤波应用。它具有小巧的尺寸和出色的电气性能,能够满足现代电子设备对紧凑型设计的需求。
容量:0.05μF
额定电压:50V
容差:±10%
封装类型:0805
介质材料:C0G(NP0)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:2.0mm x 1.25mm
高度:最大 1.25mm
CBR08C508C1GAC 使用了 C0G(NP0)介质材料,这种材料在温度变化时表现出极低的容量漂移,确保了其优异的温度稳定性和频率稳定性。此外,这款电容器还具备非常低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其非常适合高频应用场景。
由于采用了多层陶瓷结构,CBR08C508C1GAC 能够提供较高的机械强度和抗振动能力。同时,它的体积小且重量轻,便于在空间有限的设计中使用。
此外,CBR08C508C1GAC 符合 RoHS 标准,支持无铅焊接工艺,适合环保要求严格的电子产品。
CBR08C508C1GAC 广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信系统等领域。常见的应用包括:
1. 电源电路中的高频去耦和滤波;
2. 音频和射频信号的耦合与旁路;
3. 微控制器和其他数字电路的电源退耦;
4. 振荡器和滤波器中的元件;
5. 工业自动化设备中的信号调理电路。
CBR08C508C1GATC
CBR08C508C1GADC