SH21B331K251CT 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC(现为 ON Semiconductor)生产的双极性晶体管,属于 NPN 类型。该晶体管设计用于高频和高增益应用场合,具有较低的噪声特性和较高的电流增益。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,适合于紧凑型电路设计。
该器件适用于无线通信、射频模块、低噪声放大器以及各类高频信号处理电路。凭借其优异的电气性能和小型化的封装,SH21B331K251CT 成为许多便携式设备的理想选择。
集电极-发射极电压:40V
集电极最大电流:200mA
直流电流增益 (hFE):200
特征频率 (fT):800MHz
功率耗散:315mW
工作温度范围:-55℃ to 150℃
封装形式:SOT-23
SH21B331K251CT 具有以下主要特性:
1. 高增益性能:直流电流增益 hFE 达到 200,确保在低输入信号条件下仍能实现稳定的放大效果。
2. 超高频响应:特征频率 fT 高达 800MHz,非常适合用于高频放大器和射频电路。
3. 低噪声特性:特别优化了噪声系数,能够有效降低信号失真,提高整体系统性能。
4. 小型化封装:采用 SOT-23 表面贴装封装,节省 PCB 空间并简化装配工艺。
5. 广泛的工作温度范围:支持 -55℃ 至 150℃ 的环境温度,适用于各种严苛工况下的应用。
6. 可靠性高:符合 JEDEC 标准,并通过严格的质量检测流程,保证长期稳定运行。
SH21B331K251CT 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信模块:如蓝牙、Wi-Fi 和 Zigbee 等短距离无线通信设备中的低噪声放大器。
2. 射频电路:包括收发器、混频器和滤波器等高频信号处理环节。
3. 音频设备:用作前置放大器以提升弱信号的强度。
4. 工业控制:例如传感器接口、数据采集系统中的信号调理电路。
5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑及其他便携式设备中的信号增强组件。
MMBT3904LT1G
BFR96
2SC3310