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GCQ1555C1H9R0WB01D 发布时间 时间:2025/7/5 2:36:05 查看 阅读:6

GCQ1555C1H9R0WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺,专为高效率和低功耗应用设计。该器件具有出色的开关特性和导通性能,适用于各种电力电子设备,如电源适配器、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。
  该芯片基于N沟道增强型技术,通过优化的结构设计实现了较低的导通电阻和栅极电荷,从而提升了整体系统的效率和可靠性。

参数

型号:GCQ1555C1H9R0WB01D
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷(Qg):75nC
  工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,得益于优化的栅极电荷设计,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 具备优异的热性能,能够承受高温环境,适合工业和汽车领域。
  5. 内置静电保护功能,提高了器件的可靠性和使用寿命。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,无铅设计。

应用

GCQ1555C1H9R0WB01D广泛应用于多种电力电子场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中用于高效能量转换。
  3. 电机驱动器中的功率级控制元件。
  4. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)与逆变器。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。

替代型号

GCQ1555C1H9R0WB02D, IRFZ44N, FDP5800

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GCQ1555C1H9R0WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.58840卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容9 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-