时间：2025/5/10 9:36:52
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CUS08F30H3F 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。它采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 的设计注重提高性能的同时兼顾成本效益，适用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
型号：CUS08F30H3F
类型：N 沟道 MOSFET
额定电压(Vds)：30V
额定电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，25℃）
栅极电荷(Qg)：47nC（最大值）
输入电容(Ciss)：1680pF（典型值）
输出电容(Coss)：140pF（典型值）
反向传输电容(Crss)：80pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CUS08F30H3F 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高整体能效。
2. 高额定电流 Id 能够适应更广泛的应用场景。
3. 快速开关速度得益于较小的栅极电荷 Qg，从而降低了开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围使其在极端环境条件下依然保持稳定运行。
5. 小巧封装设计节省 PCB 空间，便于高密度布局。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料确保符合国际法规要求。
CUS08F30H3F 可以广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器和手机充电器中的功率调节组件。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的场合。
CUS08F30H3G, CUS08F30H3D
