UMK063CG4R6CTHF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等优点。其封装形式适合高密度组装需求,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的要求。
该型号属于 N 沟道增强型场效应晶体管,适用于各种需要高频开关和低损耗的场景。通过优化栅极驱动设计,可以进一步提升其性能表现。
类型:N沟道MOSFET
额定电压:650V
额定电流:40A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:80nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
UMK063CG4R6CTHF 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗,提高系统效率。
2. 高额定电压与大电流能力,适用于多种高压和大功率应用场景。
3. 快速开关速度,支持高频操作,减少电磁干扰和热量积累。
4. 优秀的热性能,能够在极端温度环境下稳定运行。
5. 可靠性高,经过严格的质量检测流程,确保长期使用中的稳定性。
6. 封装坚固耐用,易于安装且散热性能良好。
这款 MOSFET 主要用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动器,包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制器。
3. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 电动车和混合动力车的电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
6. 各种需要高性能功率管理的消费类电子产品。
UMK063CG4R6CLQF, IRFP2907ZPBF, FDP16N65E