MITH200QF1700LP 是由 Mitsubishi(三菱)公司生产的一款碳化硅(SiC)功率模块。这款模块专为高功率、高效率的应用设计,采用了先进的SiC半导体技术,能够显著提升电力电子系统的性能。MITH200QF1700LP具有紧凑的封装结构、高耐压能力和低导通与开关损耗,适用于各种工业领域的电力电子设备。
最大集电极电流:200A
最大阻断电压:1700V
导通压降:约2.2V(典型值)
开关损耗:Eon ≈ 0.6mJ,Eoff ≈ 0.5mJ(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +175°C
绝缘耐压等级:AC 4000V 1分钟
封装形式:双列直插式封装(DIP)
MITH200QF1700LP 具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,采用SiC材料的功率器件具有极低的导通损耗和开关损耗,这使得系统效率得以显著提高,同时降低了对散热系统的要求。此外,该模块的高阻断电压能力(1700V)使其适用于中高压电力电子系统,例如可再生能源逆变器、储能系统和电动汽车充电设备等。
该模块还具有出色的热性能,采用了高效的封装技术,能够将热量快速导出,从而保证器件在高负载条件下的稳定性。其工作温度范围为-40°C至+175°C,表现出良好的环境适应性,适用于各种严苛的工作环境。
另一个重要特性是模块的高可靠性。MITH200QF1700LP采用了先进的焊接和封装工艺,确保了器件在长期运行中的稳定性和耐用性。模块的绝缘耐压等级高达AC 4000V,提供了良好的电气安全性和抗干扰能力,适用于工业级高可靠性要求的系统设计。
此外,该模块的设计考虑了易用性和可集成性,适合多种拓扑结构(如全桥、半桥等),方便工程师在不同的电路设计中灵活应用。其封装形式为双列直插式(DIP),便于安装和维护,并且兼容标准的功率模块安装方式。
MITH200QF1700LP 主要应用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电力电子系统。常见的应用包括工业变频器、可再生能源逆变器(如太阳能光伏逆变器)、储能系统、电动汽车充电桩以及电机驱动系统等。此外,该模块也适用于轨道交通、智能电网和不间断电源(UPS)等高端工业设备。由于其高耐压能力和低损耗特性,MITH200QF1700LP 在中高压功率转换系统中具有显著优势,能够提升系统整体性能并降低能耗。
CMF200N1700AH(Cree/Wolfspeed),IMBG75P170AA3(Infineon)