时间：2025/5/6 14:27:17
阅读：12
CSD15380F3是德州仪器（TI）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件主要应用于高效能的电源管理领域，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及多相控制器等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：2280pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
CSD15380F3是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型值下仅为1.6毫欧，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高效的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg=29nC），能够减少开关过程中的能量损失。
3. 具备出色的热性能，可支持高功率密度的应用设计。
4. 能够承受高达30V的漏源电压，并具备良好的短路耐受能力。
5. 工作温度范围宽广，支持从-55℃到175℃的极端环境应用。
6. 提供小尺寸封装，节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。
7. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
CSD15380F3适用于多种高效率电力电子系统，常见的应用场景包括：
1. 各类DC-DC转换器，用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源管理。
2. 作为负载开关，在便携式电子产品中实现快速高效的开关控制。
3. 多相控制器中的功率级开关，为微处理器和其他复杂IC提供稳定的供电。
4. 在电机驱动电路中，用作逆变桥臂开关，控制直流电机或无刷电机的运行状态。
5. 高效LED驱动器设计中的关键元件，确保恒定电流输出以维持亮度一致性。
6. 电池管理系统中的保护和切换功能，延长电池使用寿命。
CSD16380F3, CSD18502Q5A
