LN6206P302MR-G 是一款由 Littelfuse 生产的瞬态抑制二极管阵列(TVS 二极管阵列),主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态电压事件的损害。该器件采用小尺寸封装,非常适合需要高可靠性和紧凑设计的应用场景。
LN6206P302MR-G 的核心功能是通过快速钳位和吸收瞬态电压脉冲来保护电路中的数据线和信号线。其低电容特性使其成为高速数据接口的理想选择。
工作电压:5V
峰值脉冲电流:14A
箝位电压:8.9V
电容:6pF
响应时间:小于1ns
结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:DFN-6L
LN6206P302MR-G 具有以下显著特性:
1. 高度可靠的 ESD 和浪涌保护性能,符合 IEC 61000-4-2(±30kV 接触放电,±30kV 空气放电)标准。
2. 极低的负载电容(6pF),确保对高速信号的影响最小化。
3. 快速响应时间(小于 1ns),能够及时抑制瞬态电压威胁。
4. 工作电压为 5V,适用于常见的电源轨和信号线路。
5. 小型 DFN-6L 封装,适合空间受限的应用环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
7. 耐高温能力较强,可在 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围内稳定运行。
LN6206P302MR-G 广泛应用于需要高性能 ESD 和浪涌保护的领域,具体包括:
1. 高速数据接口保护,例如 USB、HDMI、DisplayPort 和 Ethernet。
2. 移动设备中的射频(RF)信号线保护,如智能手机和平板电脑。
3. 汽车电子系统中的信号线路保护,例如 CAN 总线和 LIN 总线。
4. 工业自动化设备中的通信接口保护,例如 RS-232 和 RS-485。
5. 物联网(IoT)设备中的传感器接口保护。
6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品中的关键信号线防护。
LN6206P502MR-G, LN6206P302TR-G