型号：H26M64103
　　类型：时钟振荡器/晶振
　　频率：26.0 MHz
　　电源电压：1.8V - 3.3V
　　输出类型：CMOS/LVCMOS
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　型号：SDIN9DW4-32G
　　类型：DRAM
　　容量：32Gbit（4GB）
　　封装：BGA
　　数据速率：1600Mbps
　　电压：1.5V / 1.35V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　型号：THGBMBG8D4KBAIR
　　类型：eMMC 存储
　　容量：8GB
　　接口：eMMC 5.0
　　电压：2.7V - 3.6V / 1.7V - 1.95V
　　封装：BGA
　　工作温度：-25°C 至 +85°C

H26M64103 是一个高精度的时钟发生器，适用于需要高稳定性时钟源的嵌入式系统和移动设备。它具备低功耗、高频率精度和宽温工作范围，适合工业级和消费级应用场景。
　　SDIN9DW4-32G 是三星出品的高性能DRAM芯片，具备高速数据传输能力和低功耗特性，支持LPDDR3标准，广泛用于智能手机、平板电脑和嵌入式系统中，提供快速的内存访问和数据处理能力。
　　THGBMBG8D4KBAIR 是东芝的eMMC存储芯片，集成了NAND闪存和控制器，提供高性能、低功耗的存储解决方案。支持高速数据读写、ECC纠错、磨损均衡和垃圾回收等高级功能，适用于移动设备、智能穿戴和嵌入式系统。

H26M64103 通常用于为处理器、FPGA、SoC等芯片提供主时钟信号，适用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和工业控制系统。
　　SDIN9DW4-32G 广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要大内存容量的消费类电子产品中，作为系统主内存使用。
　　THGBMBG8D4KBAIR 用于智能手机、平板电脑、智能电视、车载系统和嵌入式设备中的嵌入式存储解决方案，提供可靠的非易失性数据存储。

H26M64103 的替代型号包括：FOX924B26M000C03、ECS-260-8-4
　　SDIN9DW4-32G 的替代型号包括：K3PEF1EM0AM-ACLP、MT48LC16M16A2B4-6A
　　THGBMBG8D4KBAIR 的替代型号包括：THGBMBG7D2KBADH、EMMC08G-S200、KLM8G1GETF-B041