时间：2025/6/25 14:44:30
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CDR31BP180BJZRAT 是一款基于 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术的功率半导体器件。该芯片主要用于高电压、大电流的应用场合，例如工业电机驱动、变频器、新能源发电系统和电动汽车中的电力转换模块。
其封装形式为行业标准的焊接型封装，具备出色的散热性能与电气稳定性，能够满足严苛的工作环境要求。
型号：CDR31BP180BJZRAT
集电极-发射极击穿电压：1200V
连续集电极电流：180A
开关频率范围：1kHz - 20kHz
功耗：≤200W
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
封装类型：焊接型
导通压降：≤2.2V
存储结温：-55℃ 至 +175℃
CDR31BP180BJZRAT 具备高效率和低损耗的特点，主要得益于其先进的 IGBT 芯片设计和优化的沟槽结构工艺。这种设计使得器件在高频开关条件下依然能保持较低的热阻，并减少开关损耗。
此外，该产品具有快速恢复二极管集成技术，可进一步提升系统的动态性能并降低电磁干扰 (EMI)。同时，它的短路耐受能力较强，能够承受至少 10μs 的短路时间而不损坏。
该芯片还支持多种保护功能，例如过流保护和过温保护，以确保长期稳定运行。它适用于需要高可靠性和高效能表现的场景。
CDR31BP180BJZRAT 广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化设备中的变频调速系统。
2. 太阳能逆变器及风力发电等新能源发电系统。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的主驱逆变器。
4. 高效电源模块与不间断电源 (UPS) 系统。
5. 焊接设备及其他需要高功率控制的场合。
CDR31AP180AJZRAQ, CDR31CP200AJZRAQ
