时间：2025/8/1 16:03:38
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CS8N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要设计用于高电压、高电流应用场景。其最大漏极-源极电压（VDS）为600V，具备良好的导通特性和低导通电阻特性。该器件采用TO-220封装，适用于多种电力电子变换器和功率管理电路中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：600V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
最大漏极电流（ID）：8A
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω
输入电容（Ciss）：典型值为1000pF
输出电容（Coss）：典型值为300pF
反向恢复时间（trr）：约200ns
CS8N60具有优异的热稳定性和高频响应能力，使其在高效率电源设计中表现突出。其结构设计优化了导通损耗和开关损耗的平衡，从而提高了整体效率。此外，该MOSFET具备较高的抗雪崩击穿能力，能够在高压条件下保持稳定运行。
该器件的封装形式（TO-220）便于散热，适用于紧凑型电路设计。此外，CS8N60的栅极驱动要求较低，可与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂性。同时，其高耐压特性使其在逆变器、电源适配器和电机控制电路中得到了广泛应用。
CS8N60主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和高电流能力，该器件也常用于家电产品中的功率控制模块，如变频空调、电磁炉等。此外，它在新能源领域的应用也较为广泛，例如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
IRF840、FQP8N60、STP8NK60Z、2SK2647
