HPA00929RTJR 时间：2025/7/26 16:50:18 阅读：25

HPA00929RTJR 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高性能、高集成度的射频（RF）放大器芯片，专为无线通信系统设计。该器件属于 GaN（氮化镓）功率放大器系列，适用于基站、蜂窝网络基础设施、雷达系统以及其他需要高线性度和高输出功率的应用场景。HPA00929RTJR 采用紧凑型表面贴装封装，具备出色的热管理和高频性能，支持多频段操作，适用于4G LTE、5G NR等新一代通信标准。

参数

工作频率范围：2.3 GHz - 3.8 GHz
　　输出功率：典型值 40 dBm（10 W）
　　增益：典型值 14 dB
　　效率：典型值 50% @ 3.5 GHz
　　工作电压：+28 V
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：RJQFP（10 mm x 10 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

HPA00929RTJR 具备多项优异的性能特点，首先是其宽频率覆盖范围（2.3 GHz 至 3.8 GHz），使其适用于多个通信频段，包括主流的3.5 GHz 5G频段。该器件采用 GaN 技术，在高频下依然能够提供高效率和高输出功率，从而降低系统的整体功耗并提高可靠性。
　　此外，HPA00929RTJR 内部集成了输入匹配网络和输出匹配网络，减少了外围电路的复杂性，简化了 PCB 布局并降低了设计难度。其高线性度特性使其非常适合用于 OFDM、QAM 等调制方式，满足现代通信系统对频谱效率和信号质量的高要求。
　　该芯片还具备良好的热稳定性，采用高效的散热封装设计，能够在高功率输出下保持稳定工作，适用于长时间运行的基础设施应用。其封装形式为表面贴装型（RJQFP），便于自动化生产和焊接，提升了制造效率。
　　HPA00929RTJR 支持多种工作模式，并具有良好的互调失真（IMD）性能，确保在多载波系统中仍能保持低干扰和高信号完整性。此外，其供电电压为+28V，与现有射频功率放大器的供电系统兼容，便于系统集成。

应用

HPA00929RTJR 主要用于无线通信基础设施，包括4G LTE基站、5G NR宏基站和小型基站。它也适用于无线回传系统、雷达和测试测量设备中的射频功率放大需求。该芯片的高线性度和高效率特性，使其成为多频段、多标准无线设备的理想选择。此外，还可用于工业通信系统、无人机通信模块以及高功率 Wi-Fi 6E 应用中。