类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：300V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

C3030WR-4P MOSFET具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率应用场景。其最大漏源电压为300V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压开关应用。该器件的最大连续漏极电流为30A，具备较强的电流承载能力，可支持高功率负载的驱动。其导通电阻（Rds(on)）约为0.045Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET的最大功耗为200W，具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作。
　　C3030WR-4P采用TO-220封装，便于安装和散热管理，适用于通用功率电子设备的设计。该封装形式也提供了良好的机械强度和热传导性能。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种复杂的工作环境，确保了长期运行的可靠性。
　　在栅极驱动方面，该MOSFET的栅源电压最大为±20V，设计时需注意栅极驱动电压的控制，以避免栅极氧化层击穿。由于其为增强型MOSFET，在栅极电压低于阈值时不会导通，提高了系统的安全性。

C3030WR-4P广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、逆变器以及工业自动化控制系统。在开关电源设计中，它可作为主开关器件，用于提高转换效率并减少发热。在电机控制领域，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外，在太阳能逆变系统和储能系统中，该器件也可作为功率开关，支持能量的高效转换与管理。
　　该器件还适用于高频开关应用，如谐振变换器和同步整流电路。由于其低导通电阻和快速开关特性，有助于降低系统损耗并提升整体能效。同时，其良好的热稳定性和封装结构使其在高环境温度条件下依然能够保持稳定运行。

IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF06, IRF3205