型号：15NM65
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　最大漏极电流（Id）：15 A（连续）
　　导通电阻Rds(on)：典型值约0.33 Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　最大功耗（Pd）：150 W（取决于封装和散热条件）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247可选
　　输入电容（Ciss）：约1100 pF @ Vds=25V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：约280 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于100 ns
　　雪崩能量额定值（Eas）：支持单脉冲雪崩测试

15NM65的核心特性之一是其高电压阻断能力，能够承受高达650V的漏源电压，这使得它非常适合用于通用交流输入范围（85VAC至265VAC）下的离线式电源设计。在此类应用中，整流后的直流母线电压可能达到400V以上，因此需要MOSFET具备足够的电压裕量以确保长期运行的安全性和稳定性。同时，该器件在高温环境下仍能保持较低的导通电阻，有效减少了导通状态下的功率损耗，提高了整个电源系统的转换效率。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。15NM65通过优化内部芯片结构和栅极驱动接口，实现了较快的上升时间和下降时间，降低了开关过渡期间的能量损耗。这种高效的开关行为不仅提升了能效，还有助于缩小磁性元件和滤波电容的尺寸，有利于实现紧凑型电源设计。此外，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg），这意味着驱动电路所需的能量更少，进一步降低了控制芯片的负担，并有助于提高系统的工作频率。
　　热管理方面，15NM65采用了先进的封装技术，确保热量可以从芯片迅速传导至外部散热器。TO-220和TO-247封装都具备良好的热阻特性，允许器件在高负载条件下长时间稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也表明其适用于严苛的工业和户外环境。
　　安全性和可靠性也是15NM65的重要亮点。器件经过严格的雪崩测试认证，能够在突发过压事件中吸收一定的能量而不发生永久性损坏。这一特性对于防止雷击感应或线路突变引起的电压尖峰至关重要，显著提升了系统的抗扰能力和使用寿命。此外，该MOSFET对dv/dt和di/dt具有较强的耐受能力，避免了误触发或局部热点形成的风险。综合来看，15NM65凭借其高性能参数、坚固的物理结构和广泛的应用适应性，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元器件。

15NM65主要应用于各类中等功率级别的开关电源系统中，尤其适用于需要将交流市电转换为稳定直流输出的场合。典型应用包括但不限于：手机、笔记本电脑和其他消费电子设备所使用的AC-DC适配器与充电器；LED照明驱动电源，特别是在高亮度LED灯条、路灯和商业照明系统中，要求恒流输出且具备良好调光兼容性的场景；家电产品如空调、洗衣机、微波炉中的辅助电源（待机电源或控制电源）；工业自动化设备中的分布式供电单元；以及电信基础设施中的板载电源模块。
　　在反激式转换器拓扑中，15NM65常作为主开关管使用，负责周期性地切断和接通变压器初级侧的电流，从而实现能量传递和电压变换。其快速开关特性和低寄生参数有助于减少环路损耗和电磁噪声，满足国际EMI标准（如CISPR22/EN55022）。在有源钳位反激或LLC谐振变换器等高级拓扑中，15NM65同样表现出色，能够配合控制器实现零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS），大幅降低开关损耗，提升效率至90%以上。
　　此外，该器件也可用于DC-DC升压或降压变换器中，尤其是在输入电压波动较大的环境中，例如太阳能逆变器前端或电池管理系统中。其高耐压特性提供了充足的安全裕度，避免因输入浪涌导致器件击穿。在电机驱动领域，虽然15NM65并非专为桥式驱动设计，但在单管驱动或小型风扇控制电路中仍可发挥其高效开关的优势。
　　值得一提的是，15NM65还经常出现在绿色能源和节能环保项目中，因其符合RoHS环保标准且无铅封装，支持可持续制造理念。工程师在进行产品认证（如Energy Star、DoE Level VI、ErP Eco-design）时，常选用此类高效器件以满足严格的能效要求。总之，凭借其多方面的性能优势，15NM65已成为众多电源设计师信赖的选择，广泛服务于消费、工业、通信和新能源等多个行业。

STP16NF65M5
　　FQP16N65S
　　KIA15N65