CS1N60A4H-R 时间：2025/8/1 15:15:25 阅读：20

CS1N60A4H-R是一款由Central Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能开关操作的电力电子系统中。该器件设计用于在高压和高电流条件下提供出色的性能和可靠性，适用于诸如电源转换器、电机驱动、照明控制以及各种工业自动化设备等应用领域。CS1N60A4H-R采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，能够有效降低功率损耗并提高整体系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：11A（在TC=25°C）
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大值，典型值可能更低）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　功耗（PD）：83W（TC=25°C）

特性

CS1N60A4H-R的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率。该器件在设计上优化了开关特性，使其能够在高频操作下保持较低的开关损耗，这对于提高电源转换器的效率尤为重要。此外，CS1N60A4H-R具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保长期运行的可靠性。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热管理，还提供了良好的机械强度和电气绝缘性能。该器件的栅极驱动要求较低，通常只需简单的驱动电路即可实现快速开关操作，从而简化了设计并降低了成本。CS1N60A4H-R还具备过载和短路保护能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的自我保护，延长器件的使用寿命。

应用

CS1N60A4H-R常用于多种电力电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制电路、照明镇流器、工业自动化设备以及各种高电压、高电流开关应用。在开关电源中，该器件可用于主开关或同步整流器，以提高效率并减小电源体积。在电机控制应用中，CS1N60A4H-R可以用于构建H桥电路，实现电机的正反转控制和制动功能。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统以及电池管理系统等应用，提供高效的功率控制解决方案。