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34N20 发布时间 时间:2025/8/25 6:25:34 查看 阅读:16

34N20 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),常用于电源管理和功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适合在开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和负载开关等场合使用。34N20 的最大漏源电压(VDS)为 200V,能够承受较高的电压应力,同时具备较高的电流承载能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):200V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大漏极电流(ID):连续30A(Tc=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):典型值65mΩ(VGS=10V)
  最大功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-220、TO-262 或 TO-263(根据制造商)

特性

34N20 MOSFET 具有多个关键特性,使其在功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(200V)使其适用于中高压电源系统,如开关电源和DC-DC转换器。其次,该器件的导通电阻较低,通常在65mΩ左右,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  此外,34N20 具有良好的热稳定性,在高电流工作条件下仍能保持稳定性能。其最大连续漏极电流可达30A(在Tc=25℃条件下),适用于较高功率的负载开关或电机驱动电路。该MOSFET还具备较强的雪崩能量承受能力,增强了在高压开关环境中的可靠性。
  封装形式方面,34N20 通常采用 TO-220、TO-262 或 TO-263 等封装,便于散热和安装。TO-220 是通孔封装,适合多种PCB布局;而 TO-263 则为表面贴装封装,适用于自动化生产流程。
  从驱动特性来看,34N20 的栅极电荷较低,可快速开启和关断,有助于减少开关损耗。这使其在高频开关应用中表现优异,如PWM控制的DC-DC变换器和同步整流器等。
  综合来看,34N20 是一款性能优良、适用范围广泛的功率MOSFET,适用于工业控制、电源模块、电动车控制器等多种应用场景。

应用

34N20 MOSFET 主要应用于各类中高压功率系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及负载开关控制。在开关电源中,34N20 可作为主开关或同步整流器,提高转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中,其低导通电阻和快速开关特性有助于实现高效率的电压变换。
  此外,该器件也适用于工业自动化控制设备中的功率开关,如继电器替代、LED驱动电源和UPS不间断电源系统。在电动车控制器中,34N20 可用于H桥电机驱动电路,实现高效的电机控制。
  由于其具备较高的耐压能力和较大的电流承载能力,34N20 还可用于电池管理系统中的充放电控制开关,确保电池组的安全运行。

替代型号

IRF3205, STP30NF20, FDP34N20, SiHF34N20, FQP34N20

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