类型：MOSFET 模块
　　漏极电流（Id）：36A（最大）
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 4.2mΩ（最大 5.8mΩ）
　　栅极电荷（Qg）：120nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　安装方式：通孔安装
　　功耗：120W（最大）

IRM-H336M3/TR2 是一款专为高效能功率转换系统设计的 MOSFET 模块。其内部结构由多个高性能 N 沟道 MOSFET 构成，采用并联配置以降低整体导通电阻并提高电流承载能力。这种模块化设计不仅简化了 PCB 布局，还提高了系统的可靠性和热稳定性。
　　该模块的导通电阻非常低，典型值为 4.2mΩ，最大不超过 5.8mΩ，从而显著降低了导通损耗，提高了效率。此外，模块的漏极电流可达 36A，适用于中高功率的应用场景。
　　在电气性能方面，IRM-H336M3/TR2 具有良好的开关特性，栅极电荷（Qg）仅为 120nC，这有助于减少开关过程中的能量损耗。同时，漏极-源极电压额定值为 30V，适用于多种低压功率转换应用。
　　模块的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表明其具有优异的环境适应性和稳定性。此外，其封装设计支持高效的热管理，确保在高负载下仍能保持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　IRM-H336M3/TR2 还具备过热和过流保护能力，增强了系统在异常工况下的安全性和稳定性。这些特性使其成为工业电源、服务器电源、电信设备、电池管理系统和电机控制等应用的理想选择。

IRM-H336M3/TR2 主要应用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的功率转换系统。典型应用包括但不限于：
　　1. 高性能 DC-DC 转换器，特别是在服务器、通信设备和工业电源中；
　　2. 同步整流器电路，用于提高电源转换效率；
　　3. 电机控制和驱动电路，适用于自动化设备和工业控制系统；
　　4. 电池管理系统（BMS），用于新能源和储能系统；
　　5. 高功率负载开关和电源管理模块。

SiS152DN, IPW04R040C6, FDD3904, FDD3906, IRFP4110PBF