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SCS220AMC 发布时间 时间:2025/11/8 6:29:46 查看 阅读:7

SCS220AMC是一款由Semtech公司生产的高性能、低功耗的射频收发器芯片,专为超低功耗无线应用设计,广泛应用于物联网(IoT)、远程传感器网络、智能家居设备以及工业自动化系统中。该芯片基于Semtech的LoRa(长距离无线电)调制技术,能够在极低的功耗下实现远距离通信,支持Sub-GHz频段操作,适用于需要电池供电且长期运行的无线节点。SCS220AMC集成了完整的射频前端、频率合成器、基带处理器和数字接口,能够简化无线系统的设计与开发流程。其高度集成的架构减少了外部元件数量,有助于缩小PCB尺寸并降低整体系统成本。此外,该芯片支持多种调制方式,包括LoRa、FSK和OOK,使其在不同应用场景下具备良好的灵活性和适应性。它还内置了自动增益控制(AGC)、温度传感器和可编程数据包处理引擎,进一步提升了系统的可靠性和智能化水平。SCS220AMC采用小型化封装,便于集成到紧凑型设备中,并支持广泛的供电电压范围,增强了其在复杂环境下的适用能力。

参数

芯片型号:SCS220AMC
  制造商:Semtech
  工作频率范围:150 MHz 至 960 MHz
  调制方式:LoRa, FSK, OOK
  最大输出功率:+20 dBm
  接收灵敏度(LoRa模式):-148 dBm(典型值)
  数据速率范围:0.3 kbps 至 37.5 kbps(LoRa),0.1 kbps 至 300 kbps(FSK)
  供电电压:1.8 V 至 3.7 V
  接收电流:10 mA(典型值)
  发射电流:120 mA(@ +20 dBm 输出)
  待机电流:1.5 μA(深度睡眠模式)
  封装类型:QFN-24
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  集成PA:是
  集成LNA:是
  接口类型:SPI

特性

SCS220AMC的核心优势之一是其采用的LoRa扩频调制技术,这种技术通过使用宽频谱信号传输数据,显著提高了链路预算,使得在城市环境中也能实现超过10公里的通信距离。相比传统的FSK或OOK调制方式,LoRa具有更强的抗干扰能力和穿透性能,能够在复杂的电磁环境中稳定运行。该芯片支持可变扩频因子(Spreading Factor, SF),从SF7到SF12,允许开发者根据实际需求在通信距离和数据速率之间进行权衡。例如,在要求高数据吞吐量但距离较短的应用中可以选择较低的SF值;而在偏远地区部署的远程监测节点则可启用高SF以获得更远的覆盖范围。
  另一个关键特性是其极低的功耗管理机制。SCS220AMC提供了多种工作模式,包括睡眠、待机、接收和发射模式,并可通过SPI接口灵活配置。在深度睡眠模式下,芯片的静态电流仅为1.5微安,非常适合依靠纽扣电池或能量采集技术供电的设备。同时,其快速唤醒功能可在几毫秒内从睡眠状态切换至接收或发射状态,确保实时响应能力而不牺牲能效。此外,芯片内部集成了自动增益控制(AGC)电路,可根据接收到的信号强度动态调整前端放大器的增益,从而优化信噪比并防止强信号阻塞。
  SCS220AMC还具备强大的数据包处理能力,支持前导码检测、地址匹配、CRC校验和自动应答等功能,减轻主控MCU的数据处理负担。其SPI接口兼容性强,易于与各类微控制器连接,并可通过寄存器配置实现精细的功能定制。安全性方面,虽然芯片本身不集成加密引擎,但可通过外部MCU配合AES等算法实现数据加密传输,保障通信安全。整体而言,SCS220AMC是一款面向未来物联网发展的理想选择,尤其适合对续航、通信距离和可靠性有严苛要求的应用场景。

应用

SCS220AMC被广泛用于构建低功耗广域网(LPWAN)系统,典型应用包括智能城市中的环境监测站,如空气质量检测、噪声监控和路灯控制系统。在农业领域,该芯片可用于土壤湿度、温湿度和光照强度的远程传感网络,帮助实现精准灌溉和作物管理。工业自动化中,它常用于设备状态监控、管道泄漏检测和远程仪表读数(AMI),提升运维效率并减少人工巡检成本。在智能家居系统中,SCS220AMC可作为门窗传感器、烟雾报警器和安防摄像头之间的无线通信桥梁,实现跨房间甚至跨建筑的稳定连接。此外,物流与资产追踪领域也利用其远距离传输能力,对集装箱、车辆或贵重物品进行定位和状态跟踪。由于其出色的穿墙能力和低功耗特性,该芯片特别适合部署在地下室、地下管廊或森林等信号难以覆盖的区域。结合LoRaWAN协议栈,SCS220AMC还能接入公共或私有的LoRa网络,实现大规模设备联网与云端数据交互,为智慧城市基础设施提供底层通信支持。

替代型号

SX1276
  SX1278
  RFM95

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SCS220AMC参数

  • 现有数量1现货
  • 价格1 : ¥76.72000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)20A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.55 V @ 20 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏400 μA @ 600 V
  • 不同?Vr、F 时电容730pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2 整包
  • 供应商器件封装TO-220FM
  • 工作温度 - 结175°C(最大)