IRFS9533 时间：2025/12/29 14:40:36 阅读：11

IRFS9533 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于各种高效率电源转换和功率控制应用。该器件封装在标准的 TO-252（DPAK）封装中，便于在各种电子设备中安装和散热。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

IRFS9533 的核心优势在于其超低的导通电阻，这显著降低了在高电流应用中的功率损耗，提高了系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了芯片结构，从而降低了导通电阻并增强了热稳定性。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持在 4.5V 至 10V 之间工作，适用于多种栅极驱动器设计。IRFS9533 具有出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行，并具备较强的过载和短路保护能力。TO-252 封装形式提供了良好的散热性能，并支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。此外，其耐用的封装设计和高可靠性使其广泛应用于汽车电子、工业控制和电源管理系统中。

应用

IRFS9533 主要用于高电流、高效率的电源转换系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和电源分配系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻，它也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和启停系统。此外，该器件适用于工业自动化设备、服务器电源、UPS（不间断电源）和储能系统等高可靠性应用场景。