时间：2025/5/10 9:12:40
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CRSQ036N10N是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率晶体管，专为高电压、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具备较低的导通电阻和快速开关特性，非常适合于开关电源、电机驱动器、逆变器以及太阳能逆变器等高效能系统。
CRSQ036N10N在性能上优于传统硅基MOSFET，具有更高的效率和更低的损耗，同时能够在高温环境下稳定运行。由于其优异的热特性和电气性能，这款器件广泛应用于各种工业和汽车领域。
类型：MOSFET
材料：碳化硅（SiC）
耐压值：1000V
导通电阻：36mΩ
最大漏极电流：20A
栅极电荷：85nC
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
CRSQ036N10N的核心优势在于其采用碳化硅材料，这使得它能够提供卓越的性能表现：
1. 高电压承受能力：高达1000V的耐压值，确保在高压环境下的稳定性。
2. 低导通电阻：36毫欧的导通电阻极大地减少了传导损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关速度：得益于低栅极电荷和优化的设计，开关时间更短，适合高频应用。
4. 耐高温能力：支持最高175℃的结温，适应苛刻的工作条件。
5. 高可靠性：通过严格的测试流程，保证长期使用的稳定性。
这些特性共同赋予了CRSQ036N10N出色的功率密度和能源转换效率，成为现代电力电子系统的理想选择。
CRSQ036N10N主要应用于需要高效能、高可靠性的场景，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动车辆（EV/HEV）的逆变器
3. 太阳能逆变器
4. 工业电机驱动
5. 不间断电源（UPS）
6. 充. LED照明驱动器
由于其优越的电气性能和热管理能力，这款器件尤其适合对效率和紧凑性有严格要求的应用场合。
CRSQ040N10N, CRSQ050N10N
