时间：2025/7/12 20:01:17
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RF03N3R9C250CT 是一款高频射频 (RF) 功率晶体管，广泛应用于无线通信、射频放大器以及雷达系统等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，能够在高频条件下提供高增益和低噪声性能。它专为需要高效率和高功率输出的应用设计，适用于基站、射频功率放大器以及各类射频模块。
型号：RF03N3R9C250CT
类型：射频功率晶体管
封装形式：TO-263
工作频率范围：3 GHz 至 9 GHz
饱和功率：250 W
增益：10 dB
最大集电极电流：8 A
最大集电极-发射极电压：75 V
最大漏极耗散功率：300 W
插入损耗：1.5 dB
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
RF03N3R9C250CT 具有出色的高频性能，在 3 GHz 至 9 GHz 的频率范围内能够保持稳定的功率输出和增益表现。
其设计采用了高效的热管理技术，确保在高功率运行时具有良好的散热性能。
此外，该器件具备低噪声系数，从而能够有效减少信号失真并提升整体系统的灵敏度。
该晶体管还具有较高的线性度，适合于对线性要求严格的数字调制应用。
同时，其坚固的封装结构使其在恶劣环境下也能可靠运行，非常适合户外设备和工业级应用。
RF03N3R9C250CT 广泛应用于射频功率放大器的设计，特别是在无线通信基础设施中，例如基站功放和中继站。
它也常用于航空航天和国防领域的雷达系统中，以实现高精度的目标探测。
此外，该器件还适用于卫星通信、点对点微波链路以及测试测量设备中的高功率射频信号生成。
由于其宽广的工作频率范围和高功率能力，它成为许多高频射频应用的理想选择。
RF03N3R9C200CT, RF03N3R9C300CT
