容量：256K 位
　　组织结构：32K x 8
　　访问时间：55 ns
　　工作电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　引脚数：52

GM76C256BLLT-55 是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用CMOS工艺制造，确保了低功耗与高稳定性。其访问时间为55纳秒，适用于对速度要求较高的应用场合。芯片的存储容量为256K位，组织形式为32K x 8，意味着它具有32,768个地址，每个地址存储8位数据，这种结构使其适用于需要较大字节存储单元的系统设计。
　　该芯片的工作电压为标准5V，使其能够与多种数字系统兼容。其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合在空间受限的设备中使用。工业级的工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣环境下稳定运行，增强了芯片的适用性。
　　此外，该SRAM芯片无需刷新电路，数据在供电状态下保持不变，简化了外围电路设计并提高了系统稳定性。其高可靠性和长使用寿命，使其成为工业控制、网络设备、通信系统、嵌入式系统等领域的理想选择。

GM76C256BLLT-55 SRAM芯片广泛应用于多个高性能嵌入式和工业领域。它常用于作为微控制器、数字信号处理器（DSP）或现场可编程门阵列（FPGA）的高速缓存或数据缓冲存储器。在工业控制领域，该芯片可用于存储临时数据或程序变量，以提高系统响应速度。在通信设备中，它可用于高速数据包缓存和临时数据处理。此外，在网络设备中，如路由器和交换机，GM76C256BLLT-55 可作为高速查找表或队列缓存使用。该芯片也适用于测试设备、图像处理系统、数据采集系统等对数据存取速度有较高要求的应用场景。

CY62148EVLL-55ZXC, IS62C256ALBLL-55NLI, IDT71V416SA55B