时间：2025/5/24 10:44:16
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FV42N820J302ECG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高压功率 MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用 N 沟道增强型技术，适合于工业和汽车领域的电源管理及驱动系统，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、逆变器以及电机驱动等场景。
型号：FV42N820J302ECG
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：820V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：0.42Ω
ID（连续漏极电流）：16A
栅极电荷（Qg，典型值）：35nC
总功耗（Ptot）：30W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
FV42N820J302ECG 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力（820V），能够承受较高的电压波动，适用于恶劣环境下的高压电路。
2. 较低的导通电阻（0.42Ω），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能，得益于优化的栅极电荷设计，可降低开关损耗。
4. 极高的可靠性与耐用性，支持高达 175℃ 的结温操作，非常适合高温工业环境。
5. 封装采用了 TO-247 标准结构，具备良好的散热性能，便于安装和维护。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在汽车应用中的可靠性和稳定性。
FV42N820J302ECG 主要应用于以下领域：
1. 工业设备中的高效开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 新能源领域，如太阳能逆变器和风能发电系统。
3. 汽车电子系统，包括车载充电器（OBC）、混合动力汽车（HEV）及纯电动车（EV）的牵引逆变器。
4. 各类电机驱动控制电路，如伺服电机和步进电机驱动。
5. UPS 不间断电源和其他需要高可靠性的电力转换设备。
FV42N820J302ECA, FV42N820J302ECP
