SK15DGDL065ET 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的双共阴极肖特基整流二极管模块,主要用于高效率电源转换和整流应用。该器件采用了先进的沟槽型肖特基势垒二极管(Trench Schottky Diode)技术,具有较低的正向电压降和快速的开关特性,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及电池充电器等应用。该封装为D2PAK(TO-263)表面贴装型,便于散热和安装。
最大重复峰值反向电压:60V
最大平均整流电流:15A
单个二极管正向压降:0.47V(典型值,@15A)
峰值浪涌电流:150A(@8.3ms 正弦波)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
热阻(结到壳):1.2°C/W
封装形式:D2PAK(TO-263)
SK15DGDL065ET 具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其双共阴极结构设计使得在单一封装中可以实现两个独立的肖特基二极管功能,非常适合用于双路整流或同步整流拓扑中。其次,该器件采用了沟槽型肖特基技术,有效降低了正向压降(VF),从而提高了整流效率并减少了功率损耗。
此外,SK15DGDL065ET 的最大重复峰值反向电压为60V,适用于低压高电流应用场景。其最大平均整流电流为15A,能够支持较高功率的转换需求。同时,该器件具备高达150A的峰值浪涌电流承受能力,能够在瞬态负载或启动过程中提供良好的可靠性。
该器件的封装形式为D2PAK(TO-263),是一种表面贴装封装,具有良好的散热性能,适用于自动化生产流程。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C,适用于各种恶劣工作环境,包括工业控制、汽车电子和通信设备等应用领域。
从热管理角度来看,SK15DGDL065ET 的热阻(结到壳)为1.2°C/W,意味着在高电流工作条件下能够有效将热量传导出去,避免过热损坏。同时,其低寄生电感设计也有助于提高开关速度和减少电磁干扰(EMI)。
SK15DGDL065ET 主要应用于需要高效能、高可靠性的电源系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件可以作为输出整流器,用于将高频交流信号转换为直流电,从而提高整机效率并减少发热。在DC-DC转换器中,SK15DGDL065ET 可以用于同步整流电路,进一步提高转换效率,尤其适用于笔记本电脑、服务器电源、通信设备和工业电源等应用。
此外,该器件也广泛应用于电池充电器和逆变器系统中,作为整流或续流二极管使用,确保系统在高电流条件下稳定运行。在汽车电子领域,如车载充电系统和DC-AC逆变器中,SK15DGDL065ET 凭借其高浪涌电流承受能力和宽工作温度范围,表现出良好的稳定性和可靠性。
由于其双共阴极结构,该器件还可以用于构建全桥或半桥式拓扑结构,满足多种电源设计需求。在高密度电源模块和嵌入式系统中,该器件的D2PAK封装形式也有助于节省空间并提高生产效率。
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