时间：2025/5/6 14:08:58
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CSD25483F4是德州仪器（TI）推出的N沟道增强型碳化硅（SiC）MOSFET。该器件具有高效率、高开关频率和高温性能，适用于要求严苛的功率转换应用。由于其出色的电气特性，CSD25483F4非常适合用于电动汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动等场景。
这款MOSFET采用D2PAK-7封装形式，提供卓越的散热性能和坚固的机械设计。此外，它还具备低导通电阻和快速开关能力，从而显著提高了系统效率并降低了功率损耗。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：26A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：380pF
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至175℃
CSD25483F4采用了先进的碳化硅技术，相比传统的硅基MOSFET，能够提供更高的效率和更好的热管理能力。
1. 高击穿电压：1200V的额定电压使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：仅75mΩ的导通电阻有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关特性：极低的栅极电荷和输出电荷使得该器件可以实现高频操作，从而减小无源元件尺寸。
4. 耐高温性能：支持高达175℃的工作温度，适合恶劣环境下的应用。
5. 紧凑封装：D2PAK-7封装不仅便于安装，还能有效提升散热性能。
总之，CSD25483F4是一款高度优化的功率半导体器件，为现代电力电子系统提供了理想的解决方案。
CSD25483F4主要应用于以下领域：
1. 工业电源：如服务器电源、通信电源等高效功率转换系统。
2. 新能源汽车：车载充电器（OBC）、DC/DC转换器等。
3. 可再生能源：太阳能逆变器、风能变流器等需要高效率和高可靠性的场合。
4. 电机驱动：工业自动化设备中的高性能电机控制。
5. 不间断电源（UPS）：为关键负载提供稳定可靠的电力支持。
CSD19506Q5B
