时间：2025/9/21 7:11:23
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CPH3455-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的双N沟道MOSFET晶体管，采用先进的Trench MOSFET技术制造。该器件封装于紧凑的SOT-23（SC-59）表面贴装封装中，适合在空间受限的应用中使用。由于其高集成度和优异的电气性能，CPH3455-TL-E广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号开关系统中。这款MOSFET专为低电压、低功率应用而设计，能够在较小的驱动电流下实现高效的开关操作。其双N沟道结构允许在同一封装内集成两个独立的N沟道MOSFET，从而减少PCB占用面积并简化电路设计。CPH3455-TL-E具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，适用于电池供电设备中的负载开关、LED驱动、DC-DC转换器同步整流等场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适合现代电子产品对环境友好性的要求。
型号：CPH3455-TL-E
类型：双N沟道MOSFET
封装：SOT-23 (SC-59)
极性：N沟道
漏源电压(VDSS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：700mA（单个FET）
脉冲漏极电流(IDM)：2.8A
导通电阻(RDS(on))：65mΩ（典型值，VGS=10V）
阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻结到环境(θJA)：250°C/W
热阻结到外壳(θJC)：100°C/W
输入电容(Ciss)：130pF（典型值，VDS=15V）
输出电容(Coss)：50pF（典型值，VDS=15V）
反向传输电容(Crss)：10pF（典型值，VDS=15V）
栅极电荷(Qg)：3.5nC（典型值，VGS=10V）
CPH3455-TL-E采用高性能Trench MOSFET工艺制造，具备出色的导通特性和开关响应能力。其最大漏源电压为30V，能够满足大多数低压电源系统的应用需求，如3.3V、5V或12V供电系统。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其在电池供电设备中延长了续航时间。
每个通道的连续漏极电流可达700mA，支持高达2.8A的脉冲电流，使其能够在瞬态负载条件下稳定运行。其阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保在低控制电压下也能可靠开启，兼容3.3V逻辑电平甚至部分1.8V逻辑接口，增强了与微控制器、FPGA或其他数字IC的接口兼容性。
得益于SOT-23小型封装，CPH3455-TL-E具有优良的热性能和机械稳定性，在保证足够散热的前提下可实现高密度布局。该器件的输入、输出和反向传输电容均经过优化，有助于减少高频开关过程中的噪声和串扰，提升整体电磁兼容性（EMC）。
此外，CPH3455-TL-E具备良好的抗静电能力（ESD保护），提高了在生产装配和现场使用中的可靠性。其结温最高可达+150°C，支持宽范围工业级和消费级工作环境，适用于手持设备、物联网终端、无线传感器节点等对尺寸和功耗敏感的应用场景。
CPH3455-TL-E常用于需要高效能、小尺寸MOSFET的场合。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载切换，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的背光LED驱动或模块供电控制。
在电源管理系统中，它可用于电池供电设备的电源路径管理、过流保护电路以及DC-DC升压/降压转换器的同步整流部分，利用其低RDS(on)特性减少能量损耗，提高转换效率。
此外，该器件也适用于信号路由和模拟开关电路，作为高速开关元件实现音频、数据或控制信号的选择与切换。在微控制器I/O扩展应用中，可用作电平转换或驱动外部负载（如继电器、指示灯）的接口器件。
由于其双FET结构，还可以构建简单的推挽或H桥驱动电路，用于小型电机控制或双向开关应用。其他应用场景还包括USB端口的电源开关、传感器模块的使能控制、RFID读写器电源管理以及各类嵌入式系统的节能控制电路。
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"DMG3415U",
"FDS667AZ",
"SI2302DDS",
"AO3400A",
"BSS138"
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