时间：2025/8/24 14:52:39
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FQPF4N90C是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电压和高电流的应用场景。该器件由Fairchild Semiconductor制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效率功率开关的电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：4A
漏极-源极击穿电压（VDS）：900V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
FQPF4N90C MOSFET具有多项优越的电气特性，确保其在各种高功率环境中稳定运行。首先，其高达900V的漏极-源极击穿电压使其适用于高电压应用，例如开关电源和工业电机驱动。其次，该器件的低导通电阻降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，FQPF4N90C具备良好的热稳定性和散热能力，能够在较高温度下可靠工作，适合工业级环境应用。
这款MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，从而提升了电路的工作效率。其±30V的栅极-源极电压允许使用较高的驱动电压，增强了栅极控制的稳定性。同时，FQPF4N90C采用TO-220封装，便于安装在散热片上，以进一步提高散热效果，适用于高功率密度的设计。
在可靠性方面，该器件具备良好的抗静电和过热保护能力，降低了在复杂电路环境中的故障率。其广泛的工作温度范围也确保了在极端环境下的正常运行。
FQPF4N90C常用于多种高功率电子设备中，例如：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC转换器
? 电机驱动器和控制器
? 工业自动化设备
? 电池充电系统
? 高压LED驱动电路
由于其高耐压能力和较高的效率，该MOSFET在需要高可靠性和高效率的电源管理应用中特别受欢迎。
FQP10N90C, FQA4N90C
