时间：2025/9/2 4:39:57
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HY57V281620HCLT-8 是由现代（Hyundai，现为SK Hynix）生产的一款16位、256兆位（256Mbit）的高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，广泛应用于需要高速存储器访问的嵌入式系统、通信设备和工业控制设备中。该器件采用CMOS工艺制造，支持同步接口，提供较高的数据吞吐能力和较低的延迟。
容量：256Mbit
组织结构：16位 x 16M
封装类型：TSOP
引脚数：54-pin
工作电压：3.3V
时钟频率：166MHz
访问时间：8ns
数据宽度：16位
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
HY57V281620HCLT-8 是一款高性能的SDRAM芯片，其主要特性包括高存储密度、同步接口、低功耗设计以及工业级温度适应能力。该芯片的同步接口使得数据传输与系统时钟保持同步，提高了系统的整体稳定性与效率。166MHz的时钟频率和8ns的访问时间使其适用于对实时性要求较高的系统。此外，3.3V的电源供电设计在保证性能的同时降低了功耗与发热量，增强了器件的可靠性。
这款芯片的16位数据宽度使其适合用于需要较大带宽的系统，例如视频处理、网络交换和嵌入式处理器平台。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积，提高集成度，适合空间受限的设计。此外，该芯片符合RoHS环保标准，便于在各类现代电子设备中使用。
HY57V281620HCLT-8 适用于多种需要高速存储器的嵌入式系统，包括但不限于工业控制设备、网络通信设备（如路由器、交换机）、视频采集与处理系统、医疗电子设备、测试仪器和消费类电子产品中的高性能模块。由于其较高的稳定性与工业级温度范围，也常见于工业自动化和户外通信设备中。
IS42S16400J-8BLI, MT48LC16M2A2B4-8A
