您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CMPD2003TR13LEADFREE

CMPD2003TR13LEADFREE 发布时间 时间:2025/7/16 10:44:12 查看 阅读:8

CMPD2003TR13LEADFREE 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频率的开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关特性和卓越的热性能,适合需要高效能和紧凑设计的应用场合。
  该器件支持无铅封装,符合 RoHS 标准,广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。

参数

型号:CMPD2003TR13LEADFREE
  类型:N沟道功率 MOSFET
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):3.5mΩ(典型值,@ VGS=10V)
  ID(连续漏极电流):90A
  Qg(总栅极电荷):40nC
  VGS(栅源电压):±20V
  fT(过渡频率):2.7MHz
  封装形式:TO-247-3L(无铅)

特性

1. 极低的导通电阻 RDS(on),有助于降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关特性,能够实现高频操作,适用于高频开关电源。
  3. 高电流承载能力,最大支持 90A 持续电流,满足大功率应用需求。
  4. 出色的热性能,确保在高功率应用场景中保持稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准的无铅封装,环保且可靠。
  6. 内置 ESD 保护电路,增强芯片的抗静电能力,提高可靠性。
  7. 支持宽范围的工作电压,适应多种电路设计需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业逆变器
  5. 汽车电子系统
  6. 电池管理系统(BMS)
  7. 太阳能微逆变器
  8. LED 驱动电路

替代型号

IRF2003TRPBF, FDP2003N, STP200N06LLH