时间：2025/6/27 2:15:51
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HMK107B7472MAHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，具备出色的热性能和可靠性，非常适合用于需要高效能转换和快速开关的应用场景。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，其设计能够承受较高的电压和电流，并且具有较低的导通损耗。通过优化栅极电荷和输出电容参数，这款MOSFET可以显著提高系统的整体效率。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：7.2A
导通电阻：0.65Ω
栅极电荷：38nC
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-220
HMK107B7472MAHT具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，可承受高达700V的工作电压，适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 优异的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。
5. 高可靠性，满足工业级应用对稳定性和寿命的要求。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料，适合现代绿色设计需求。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中作为功率开关。
3. 负载切换和保护电路。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. LED照明驱动器中的功率级组件。
6. 太阳能逆变器和其他能源转换系统中的关键元件。
HMK107B7472MAHT-A, HMK107B7472MAHT-B
