NTLUD3A260PZTBG
时间:2023/4/13 10:48:28
阅读:323
概述
制造商:ONSemiconductor
RoHS:是
配置:2
功率耗散:0.8W
最大工作温度:+150℃
封装/箱体:UDFN-6
最小工作温度:-55℃
安装风格:SMD/SMT
NTLUD3A260PZTBG推荐供应商
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- 9000
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- 22+/6UDFN
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- 深圳市腾桩电子有限公司
- 8300
- ON Semiconductor
- 23+/6UDFN
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NTLUD3A260PZTBG参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 阵列
- 系列-
- FET 型2 个 P 沟道(双)
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.7A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 2A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 10V
- 功率 - 最大800mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳6-UFDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装6-UDFN(1.6x1.6)
- 包装带卷 (TR)