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NTLUD3A260PZTBG 发布时间 时间:2023/4/13 10:48:28 查看 阅读:323

NTLUD3A260PZTBG技术参数

目录

概述

制造商:ONSemiconductor

RoHS:是

配置:2

功率耗散:0.8W

最大工作温度:+150℃

封装/箱体:UDFN-6

最小工作温度:-55℃

安装风格:SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTLUD3A260PZTBG参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 10V
  • 功率 - 最大800mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-UFDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装6-UDFN(1.6x1.6)
  • 包装带卷 (TR)