时间：2025/5/7 11:04:07
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FDD8424H是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频、低损耗的开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，非常适合于需要高效能和高可靠性的电子电路中。其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），从而节省了印刷电路板的空间。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：17A
导通电阻：1.5mΩ
总栅极电荷：33nC
输入电容：1350pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
FDD8424H具有非常低的导通电阻，这使得它在功率转换应用中能够显著降低传导损耗。此外，它的快速开关特性和低栅极电荷设计可以减少开关过程中的能量损失。
FDD8424H的工作温度范围较广，可以在极端环境下保持稳定性能，适用于汽车电子、工业电源以及消费类电子产品等多种场景。
由于其采用TO-252小型封装，因此可以方便地集成到紧凑型设计中，同时支持高效的热管理方案。
该器件还具备较高的雪崩击穿能力，能够在异常条件下提供额外的安全保障。
FDD8424H广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器等高效率电力电子设备中。其卓越的性能使其成为各类负载开关、同步整流以及功率因数校正（PFC）电路的理想选择。
此外，在电动车和混合动力车的牵引逆变器系统中，FDD8424H也可用于辅助功率模块的设计。
FDP8424H
FDMQ8207
IRF840
