时间：2025/11/14 9:11:54
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CL31B106KAHNNNF是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X5R陶瓷材料体系，具有较高的体积效率，广泛应用于各类消费类电子、工业控制及通信设备中的去耦、旁路和滤波电路。CL31B系列以其稳定的电气性能、良好的温度特性和可靠的机械结构著称，适用于自动化贴片生产工艺。此型号采用标准的EIA 0805封装尺寸（2.0mm x 1.25mm），额定电压为50V DC，标称电容值为10μF，电容公差为±10%。其设计符合RoHS环保要求，并具备无铅焊接兼容性，在现代电子产品中具有广泛的适用性。
该产品采用镍阻挡层电极结构（Ni-barrier termination），增强了抗硫化能力，提高了在恶劣环境下的长期可靠性。此外，CL31B106KAHNNNF在制造过程中执行严格的工艺控制，确保低失效率和高一致性，适合用于对稳定性要求较高的电源管理模块。由于其高电容密度特性，该型号在空间受限的设计中尤为受欢迎，能够在较小的封装内实现较大的储能能力，有效支持高频开关电源的稳定运行。
电容值：10μF
容差：±10%
额定电压：50V DC
温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化不超过±15%）
封装尺寸：EIA 0805（2.0mm x 1.25mm）
介质材料：陶瓷（Class II, X5R）
电极结构：Ni-barrier（抗硫化）
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
直流偏压特性：随电压升高电容值下降，典型条件下50V时剩余电容约4~6μF
老化率：约2.5% per decade at 25°C
安装类型：表面贴装（SMD）
符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分等级）
CL31B106KAHNNNF采用先进的叠层陶瓷技术，内部由数十至数百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积内的电容密度。其使用的X5R型陶瓷介质在宽温度范围内表现出相对稳定的电容性能，虽然属于二类陶瓷材料而存在一定的非线性特征，但在大多数非精密应用中仍可提供可靠的去耦效果。值得注意的是，该电容器的直流偏压效应较为明显——即在施加接近额定电压的直流偏置时，实际可用电容会显著降低，这是高介电常数钡钛矿系材料的固有特性，设计时需结合具体工作电压进行降额评估。
该器件的镍阻挡层端电极结构是其关键可靠性设计之一，通过在铜内电极外侧增加镍扩散阻挡层，有效防止了环境中硫化物对内部电极的侵蚀，从而大幅提升了在含硫气氛（如工业空气、汽车舱内等）中的寿命和稳定性。这种结构特别适用于需要长期运行且维护困难的应用场景。同时，该产品经过优化的端头设计也改善了焊点的机械强度和热循环耐久性，减少了因PCB热胀冷缩导致的裂纹风险。
在电气性能方面，CL31B106KAHNNNF具有较低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），使其在中高频段仍能保持良好的去耦能力，适用于开关频率在数百kHz到数MHz之间的DC-DC转换器输出滤波。然而，由于其介质吸收较高且绝缘电阻相对较差（通常在GΩ级别），不推荐用于高阻抗模拟信号路径或采样保持电路。整体而言，该MLCC是一款兼顾性能、尺寸与成本的理想选择，尤其适合大批量自动化生产的消费类电子产品。
CL31B106KAHNNNF广泛应用于各类需要中高容量滤波和去耦的电子系统中。常见用途包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理单元（PMU）输出滤波电容，用于平滑DC-DC降压或升压变换器产生的纹波电压。在主板、显卡及嵌入式控制系统中，该器件常被部署于处理器核心供电网络附近，作为局部储能元件以应对瞬态电流需求，保障电压稳定性。
此外，该电容器也适用于工业自动化设备中的PLC模块、传感器接口电路以及通信基站的射频前端供电去耦。在汽车电子领域，尽管该型号并非全部通过AEC-Q200完全认证，但部分批次可用于非关键车载系统，如信息娱乐系统、车内照明控制或辅助电源模块，前提是满足相应的温度与偏压设计规范。由于其良好的抗硫化性能，也可用于户外暴露或工业环境较恶劣的场合。
在设计使用时，建议工程师参考三星官方提供的直流偏压-电容曲线图，合理评估在目标工作电压下的有效电容值，避免因忽视电压系数而导致滤波性能不足。同时，应避免将此类大容量MLCC单独用作唯一的输出电容，最好配合小容量陶瓷电容（如0.1μF）形成多级滤波网络，以覆盖更宽的频率响应范围。
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"GRM21BR71H106LA01D",
"C2012X5R1H106K",
"EMK212BBJ1H106MG",
"CL21B106KBHNNNC"
]
