时间：2025/6/28 14:36:00
阅读：6
SH21N101J101CT 是一款由知名半导体厂商生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、电池保护等需要高效功率转换的场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率功率管理的理想选择。
SH21N101J101CT 采用了先进的制造工艺，具有出色的电气性能和可靠性。其封装形式紧凑，能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
型号：SH21N101J101CT
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：5mΩ
Id（持续漏极电流）：90A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.5V
Qg（总栅极电荷）：48nC
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃至+175℃
SH21N101J101CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中显著降低功耗。
2. 快速的开关速度，适合高频开关电源设计。
3. 高耐压能力，支持高达30V的工作电压。
4. 高电流处理能力，额定漏极电流为90A。
5. 小型化的封装设计，节省电路板空间。
6. 宽泛的工作温度范围，适用于恶劣环境下的应用。
7. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
这些特性使得SH21N101J101CT 成为众多功率管理应用中的首选器件。
SH21N101J101CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC/DC转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动控制，用于高效驱动直流无刷电机或步进电机。
4. 电池管理系统（BMS），提供高效的充放电保护。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动汽车及混合动力汽车的动力系统控制。
7. 其他需要高电流、低损耗功率转换的应用场景。
该芯片凭借其卓越的性能，在以上应用领域表现出色，能够满足严格的功率管理和效率要求。
IRFZ44N, FDP5800, AO3400
