时间：2025/5/12 13:19:58
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NRS5030T3R3MMGJV 是一款超小型、低导通电阻的 N 沗道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，非常适合用于高效能电源管理应用。其封装形式为业界标准的小型化封装，能够显著减少 PCB 占用空间。
这款 MOSFET 在消费电子、通信设备和工业控制领域中被广泛应用。由于其低 RDS(on) 特性，可以有效降低系统功耗，提高整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（RDS(on)）：3.4mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：120pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装类型：DFN2020-6
NRS5030T3R3MMGJV 具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻（3.4mΩ），可显著降低传导损耗。
2. 小型化封装设计（DFN2020-6），有助于节省 PCB 布局空间。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 支持宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 提供高可靠性和稳定性，适用于各种严苛的工业与消费类应用场景。
NRS5030T3R3MMGJV 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流电路。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动及负载切换控制。
5. 移动设备和其他便携式电子产品中的电源管理解决方案。
6. LED 驱动器中的电流调节和保护功能。
NTR5030N3L, BSC018N06NS5, IRF7843
