SN74LS189AN 是一款由 Texas Instruments(德州仪器)制造的高速 TTL 存储芯片,属于 74LS 系列的逻辑集成电路。该芯片是一个 64 位(64 x 1)的静态随机存取存储器(SRAM),主要用于数字电路中的数据存储和缓存应用。SN74LS189AN 采用 16 引脚 DIP(双列直插式封装),适用于中等规模的存储需求,特别是在需要快速读写操作的场合。由于其 TTL 兼容输入和输出电平,该芯片可轻松集成到各种 TTL 逻辑系统中。
类型: 静态随机存取存储器 (SRAM)
存储容量: 64 x 1 位
电源电压: 4.75V 至 5.25V
工作温度范围: 0°C 至 70°C
封装类型: 16 引脚 DIP
最大存取时间: 55 ns
最大工作频率: 20 MHz
输入/输出电平: TTL 兼容
功耗: 约 180 mA(典型值)
SN74LS189AN 的主要特性之一是其高速读写能力,适用于需要快速数据访问的场景。该芯片采用静态存储技术,无需刷新操作,因此在断电之前数据保持不变,简化了设计复杂度。
其 64 x 1 位的存储结构允许用户通过外部电路进行扩展,构建更大的存储阵列。例如,多个 SN74LS189AN 可以并行连接以形成多位宽的数据存储系统。
此外,该芯片的 TTL 兼容性使其可以无缝集成到基于 TTL 的数字系统中,减少了电平转换的需求,提高了系统的稳定性和可靠性。
SN74LS189AN 的封装为 16 引脚 DIP,便于插拔和更换,适合实验室开发和原型设计。其功耗相对较低,适合在对功耗有一定要求的嵌入式系统中使用。
由于其广泛的应用历史,SN74LS189AN 拥有丰富的技术文档和应用笔记支持,工程师可以轻松找到设计和调试所需的参考资料。
SN74LS189AN 常用于早期的计算机系统、工业控制设备、通信设备以及实验教学设备中,作为临时数据存储单元。它特别适用于需要小容量高速存储的场景,例如缓冲区、寄存器文件、状态存储等。
在实验教学中,该芯片被广泛用于数字电路和计算机组成原理的教学实验,帮助学生理解存储器的基本工作原理和地址/数据总线的操作方式。
此外,SN74LS189AN 也常用于老式嵌入式系统和工业控制系统中,作为程序存储器或数据缓存,尤其是在那些对存储速度要求较高而容量要求不大的场合。
在一些定制的数字逻辑设计中,SN74LS189AN 也被用作查找表(LUT)或状态机的状态存储器,提供快速的响应时间和灵活的配置能力。
SN74S189N, SN74LS189N