时间：2025/9/14 5:14:01
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PSMN3R5-40YSDX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能功率MOSFET器件。该器件采用先进的TrenchPlus?技术，提供卓越的导通电阻和开关性能，适用于高效率功率转换应用。该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业电源等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（典型值）
封装类型：Power-SO8
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PSMN3R5-40YSDX MOSFET具备多项优异特性。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）为3.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用先进的TrenchPlus?工艺，优化了电场分布，增强了器件的雪崩耐受能力，提高了工作可靠性。
此外，PSMN3R5-40YSDX具有较高的栅极电荷（Qg）和较低的输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，适用于高开关频率的DC-DC转换器和同步整流器。其Power-SO8封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性。
PSMN3R5-40YSDX 主要应用于高性能电源管理系统。在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流和高边/低边开关，提升转换效率并减少发热。在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，该MOSFET可作为主功率开关或负载开关使用，提供高效、稳定的功率传输。
SiSSPM150P04YDHC-GE3, IPD90P04S4-07, BSC126N04LS6AG
