H5MS5162DFR-L3M 时间：2025/9/2 1:30:28 阅读：25

H5MS5162DFR-L3M 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动DRAM类别，专为低功耗和高性能需求设计，适用于移动设备如智能手机和平板电脑等。H5MS5162DFR-L3M 采用FBGA封装，具有较高的集成度和较小的体积，以满足便携式电子设备对空间的严格要求。

参数

容量：256Mb
　　类型：DRAM，Mobile DRAM
　　配置：x16
　　频率：166MHz
　　电压：1.8V
　　封装：FBGA
　　引脚数：54-pin
　　工作温度：-40°C ~ 85°C

特性

H5MS5162DFR-L3M 移动DRAM芯片具有多项先进的特性，以满足现代便携式电子设备对高性能和低功耗的双重需求。首先，该芯片支持低电压运行（1.8V），有助于降低功耗，从而延长移动设备的电池续航时间。其次，其工作频率为166MHz，确保了数据传输的高速性，适合处理图形密集型应用和多任务操作。此外，该DRAM芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效保持数据完整性并减少功耗。H5MS5162DFR-L3M 还具备温度补偿自刷新（TC-SRF）功能，使其在不同环境温度下都能稳定工作。该芯片采用紧凑的54-pin FBGA封装形式，减少了PCB布局空间，提高了设备的集成度。最后，其工作温度范围宽泛（-40°C至85°C），适用于各种严苛的工作环境。

应用

H5MS5162DFR-L3M 主要应用于移动设备领域，例如智能手机、平板电脑、便携式游戏机和移动互联网设备（MID）。此外，它还可用于需要低功耗和高性能内存解决方案的嵌入式系统、手持式工业设备和消费类电子产品。由于其优异的性能和紧凑的封装形式，这款DRAM芯片也适用于对空间和能效要求较高的物联网（IoT）设备。