时间：2025/8/24 19:08:33
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SGM2N60UFT 是一款由 SGM（圣邦微电子）公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能。该器件适用于需要高效能和高可靠性的应用，如电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。SGM2N60UFT 通常采用 TO-252（DPAK）封装形式，适用于表面贴装技术（SMT），具备良好的热稳定性和散热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：11A（@Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：＜22mΩ（@Vgs=10V）
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
SGM2N60UFT 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它有助于减少发热并提高系统稳定性。其次，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，增强了载流能力，同时降低了开关损耗，使得器件在高频开关应用中表现优异。
此外，SGM2N60UFT 具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温度环境下稳定工作。其封装设计优化了散热性能，确保在高功率操作下仍能保持较低的结温。器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计，并具备较强的抗干扰能力。
SGM2N60UFT 适用于多种功率电子系统，尤其在需要高效率和高可靠性的场合表现出色。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理系统（PMU）以及工业自动化控制系统等。在开关电源（SMPS）中，该器件可用于高边或低边开关，实现高效的能量转换。
IRFZ44N, FDP6030L, FDS6680, SiHH2N60E
