型号：CL21B103MBANNWC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2012)
　　电容值：10nF (103)
　　额定电压：50V
　　电容容差：±20%
　　温度特性：X7R 或 X5R（依据具体批次）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：Class II Ceramic (BaTiO3基)
　　电极材料：Ni-barrier (Nickel Barrier)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　产品系列：CL21系列
　　包装方式：卷带包装（Tape & Reel）
　　无铅/环保：符合RoHS指令

CL21B103MBANNWC具有优异的温度稳定性与电压稳定性，能够在宽温范围内（-55°C至+125°C）保持电容值的变化在±15%以内（对于X7R）或±15%内（X5R），适用于要求较高稳定性的去耦和滤波应用。其采用的Class II陶瓷介质（如钡钛酸盐）提供了较高的体积效率，即在较小封装下实现相对较大的电容值，非常适合空间受限的设计。该器件具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提升高频下的去耦效果，有效抑制电源噪声和电压波动。
　　机械方面，CL21B103MBANNWC采用强化结构设计，具备良好的抗弯曲和抗热冲击性能，减少因PCB形变或温度循环导致的裂纹风险。其镍阻挡层电极技术可防止银离子迁移，提高长期可靠性和耐湿性，延长使用寿命。此外，该电容器经过严格的出厂测试，包括耐电压测试、绝缘电阻测试和电容值分选，确保每批产品的质量一致性。支持JEDEC标准回流焊曲线（如三温区或五温区），兼容主流SMT工艺流程，避免焊接过程中出现立碑、偏移或虚焊等问题。
　　电气特性上，该器件拥有较高的绝缘电阻（通常IR > 1000MΩ或时间常数 > 1000S），漏电流极小，适用于精密模拟电路中的耦合与滤波。同时，在直流偏压条件下，虽然存在一定的电容下降现象（这是Class II MLCC的共性），但在50V工作电压下仍能维持可观的有效电容，满足大多数电源轨的去耦需求。整体而言，CL21B103MBANNWC是一款平衡了尺寸、性能与成本的理想通用型贴片电容，特别适用于对可靠性要求较高的中高压应用场景。

CL21B103MBANNWC广泛应用于各类电子设备中的去耦、滤波、旁路和信号耦合电路。常见使用场景包括：在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚附近作为去耦电容，用于吸收瞬态电流波动，稳定供电电压；在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出端进行滤波，平滑电压纹波，提升电源质量；在模拟信号链路中作为交流耦合电容，阻隔直流成分并传递交流信号；也可用于定时电路、振荡电路或EMI抑制电路中，发挥其稳定的电容特性。
　　由于其50V额定电压等级，该器件适用于中等电压系统，例如12V或24V工业控制板、通信模块电源轨、LCD背光驱动电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的非动力域控制单元。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能电视和无线路由器中，大量使用此类0805封装的MLCC进行多层次电源去耦网络构建。其高可靠性也使其可用于部分车载信息娱乐系统和ADAS辅助系统的外围电路设计。总之，凡是在需要小型化、高可靠性且工作电压不超过50V的场合，CL21B103MBANNWC都是一个优选方案。

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　　 "CL21A103MBANNNC",
　　 "CL21B103KBANNC",
　　 "GRM21BR71H103KA01L",
　　 "C2012X7R1H103K",
　　 "MCZ21BB103MF"
　　]