时间：2025/8/5 15:30:51
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SS150TI60110 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制等多种应用场景。
类型：功率MOSFET
封装类型：TO-220
最大漏源电压（Vds）：150V
最大漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：28nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
最大耗散功率（Ptot）：65W
SS150TI60110 的主要特性包括：
1. 低导通电阻：0.18Ω的Rds(on)确保了较低的导通损耗，有助于提高系统效率。
2. 高耐压能力：最大漏源电压为150V，适用于中高功率的电源转换系统。
3. 高电流承载能力：连续漏极电流为10A，适合高功率密度的设计需求。
4. 优异的热性能：采用TO-220封装，具备良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 快速开关特性：较低的栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
6. 可靠性高：通过AEC-Q101认证，适用于汽车电子等高可靠性要求的应用场景。
SS150TI60110 主要应用于以下领域：
1. DC-DC转换器：适用于高效率的电源转换系统，如服务器电源、通信电源等。
2. 电源管理模块：用于负载开关、电源分配系统等。
3. 电机控制：适用于电动工具、工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 汽车电子：用于车载充电器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统等。
5. 工业控制系统：适用于工业自动化设备中的电源控制与管理。
STP150N10F7AG | STW150N10F7-DS
