STP9NK50ZFP 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于高功率、高效率的电子系统中,例如电源转换器、电机驱动、电池充电器以及工业自动化设备。这款MOSFET采用了先进的技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
类型:N沟道
漏极电流(ID):9A
漏极-源极击穿电压(VDS):500V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.85Ω @ VGS=10V
功耗(PD):75W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220FP
STP9NK50ZFP 的核心特性之一是其低导通电阻,这使得在高电流工作状态下,功耗和发热显著降低,从而提高了整体系统效率。该MOSFET的漏极-源极击穿电压为500V,适用于高电压应用场景,同时具备良好的抗过压和抗静电能力,增强了器件的可靠性和耐用性。
此外,该器件采用了先进的封装技术(TO-220FP),具备优异的散热性能,能够在高功率负载下保持稳定的温度。其栅极驱动电压范围宽广(±20V),允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制,简化了设计和应用过程。
STP9NK50ZFP 还具备快速开关能力,减少了开关损耗,提高了高频应用中的性能。这种特性在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器等应用中尤为重要,有助于实现更紧凑的系统设计和更高的能量转换效率。
该MOSFET的工作温度范围广泛(-55°C 至 +150°C),适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用,确保了长期运行的稳定性与安全性。
STP9NK50ZFP 主要应用于高功率开关电源(SMPS)、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、逆变器、DC-DC转换器以及各种工业自动化设备。其高电压和高电流处理能力使其成为高压功率转换系统的理想选择。
在开关电源中,该MOSFET可用于主开关或同步整流器,提升整体转换效率。在电机驱动电路中,它能够提供高效的功率输出,支持快速响应和精确控制。此外,在太阳能逆变器和储能系统中,STP9NK50ZFP 可用于直流到交流的功率转换环节,确保系统稳定运行。
由于其出色的热管理和抗干扰能力,该器件也广泛应用于车载充电器、电动车动力控制系统以及智能电网设备中,为高可靠性系统提供坚实的功率支持。
STP12NK50Z, STP8NK50Z, IRFBC40