类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A（在VGS=10V）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.038Ω（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2SK957的主要特性在于其低导通电阻，这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，例如DC-DC降压或升压转换器。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，适用于中高功率应用。2SK957还具有较高的耐压能力，漏-源电压可达60V，使其适用于多种电源管理系统。该器件的栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的10V驱动电压，同时也兼容部分3.3V和5V控制电路，方便与微控制器或驱动IC配合使用。
　　另外，2SK957具有较高的可靠性，在工业和消费类电子产品中均有广泛应用。由于其结构设计优化，器件在高温下仍能保持稳定工作，具备良好的热稳定性。此外，该MOSFET在短路或过载情况下表现出较强的承受能力，增强了系统的稳定性和安全性。

2SK957常见于开关电源（SMPS）中作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。它也广泛用于DC-DC转换器中，如Buck、Boost和Buck-Boost拓扑结构，用于调节电压并提高电源效率。在电机控制和H桥驱动电路中，2SK957可作为功率开关元件，用于驱动直流电机或步进电机。此外，该器件还适用于电池充电管理系统、负载开关控制、LED照明驱动电路以及各种功率放大器应用。在工业自动化设备、UPS不间断电源系统和智能电表中也能见到其身影。

IRFZ44N, FDP6030L, Si4410DY, 2SK2545