类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：100A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.0mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：65nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（PD）：100W

CJAC10H03是一款高性能的N沟道MOSFET，采用了先进的沟槽式结构技术，使得其导通电阻极低，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性和较高的可靠性。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，适用于高效率的DC-DC转换器和同步整流电路。
　　此外，CJAC10H03具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达100A，在高温环境下仍能保持稳定的性能。其封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产及安装。同时，该MOSFET具有较宽的工作温度范围（-55°C至175°C），可在极端环境条件下稳定运行。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变的情况下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。CJAC10H03还具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部元件尺寸并提高整体系统效率。这些特性使其成为高性能电源管理、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备的理想选择。

CJAC10H03广泛应用于各种电源管理领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业电源以及汽车电子系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合用于高效率、高功率密度的开关电源系统。此外，该器件也可用于电机控制电路、LED照明驱动电路以及各种需要高可靠性和高性能的电子设备中。

IRF1010E, STP100N3LL, FDP100N30