STP4N100FI 时间：2025/7/23 1:13:11 阅读：9

STP4N100FI 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高电压、低电流 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高压电源应用设计，适用于需要高耐压和高可靠性的场合。STP4N100FI 采用先进的平面条纹和一次加工技术，确保了良好的导通特性和较低的导通损耗。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：4A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：1000V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STP4N100FI 具备多项关键特性，使其适用于多种高压电源转换应用。首先，该器件的漏极-源极击穿电压高达 1000V，使其能够承受较高的电压应力，适用于开关电源、高压适配器和逆变器等应用。其次，该 MOSFET 的导通电阻较低，最大为 2.5Ω，从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，STP4N100FI 采用 TO-220FP 封装，具备良好的散热性能，能够有效降低器件的工作温度，提高长期工作的稳定性。
　　在制造工艺方面，STP4N100FI 采用了 STMicroelectronics 的先进平面条纹技术和一次加工工艺，确保了器件的高可靠性和一致性。该器件还内置了一定的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态电压冲击，从而提高了在恶劣工作环境下的耐用性。此外，其 ±30V 的栅极-源极电压耐受能力也增强了器件在高频开关应用中的稳定性。
　　STP4N100FI 还具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计。其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。此外，该器件的封装形式 TO-220FP 易于安装在散热器上，便于热量的快速散发。

应用

STP4N100FI 主要应用于高压电源系统，例如 AC/DC 转换器、高压适配器、LED 驱动电源、工业电源以及高压逆变器等。由于其高击穿电压和良好的导通特性，该器件也非常适用于高压马达控制、电池充电器以及光伏逆变器等应用。在消费类电子产品中，STP4N100FI 可用于节能灯具、电源管理模块以及智能电表等设备中，提供高效、稳定的功率控制功能。